中诺新材可根据您的需求,为您定制不同化合物,不同比例的掺杂靶材。通过球磨制粉,共沉积制粉,真空热压烧结,常压烧结等工艺,可**靶材掺杂比例准确,掺杂相单一,高纯钯靶材 钯颗粒 金属靶材,致密度高。
部分定制靶材如下:
氧化铟锡 ITOIn2O3:SnO2=90:10 wt%
氧化锌铝 AZOZnO:Al2O3=98:2 wt%
铜铟硒 CIGSCu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%
氧化锌掺杂氧化镁等
氧化铟锌 IGZOIn:Ga:Zn=2:2:1 at%
钛锆酸铅 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3
锗锑碲 GSTGe:Sb:Te=2:2:5 at%
氧化铝 Al2O399.99颗粒 粉末
氧化镁 MgO99.99颗粒 粉末
氧化钛 TiO TiO2 Ti3O599.99颗粒 粉末 压片
氧化铪 HfO299.99颗粒 粉末 压片
氧化钽 Ta2O599.99颗粒 粉末 压片
氧化铟 In2O399.99颗粒 粉末
氧化硅 SiO SiO299.99 99.999颗粒 粉末
氧化锆 ZrO299.99颗粒 粉末 压片
氧化铌 Nb2O599.99颗粒 粉末
氧化锌 ZnO99.99颗粒 粉末 压片
氟化镁 MgF299.99颗粒 粉末
氟化镱 YbF399.99颗粒 压片
氟化钇 YF399.99颗粒 粉末
硫化锌 ZnS99.99颗粒 粉末 压片
硒化锌 ZnSe99.999颗粒 粉末
钛酸镧 La2O7Ti1299.99颗粒
钛酸钡 BaTiO399.99颗粒
钛酸锶 SrTiO399.99颗粒
冰晶石 Na3AlF699.99颗粒
氧化铟锡 ITO 99.99颗粒 粉末 压片
蒸发作为PVD技术的一种,4N 高纯钯 靶材 生产定制,被广泛应用于半导体行业中的芯片背面金属化工艺,实验室**高纯钯靶材定制,中诺新材(北京)科技有限公司作为**的PVD薄膜材料供应商,可以提供各种规格的全系列高**属蒸发材料。这些材料可做成丝状,片状,高纯钯,颗粒状。采用熔炼铸造工艺,经过锻造、热处理及精密的机加工工艺,**定制不同配比、不同尺寸的特种合金靶材靶材。适用于钨丝篮加热蒸发,钨舟,钼舟蒸发,各种坩埚蒸发等。
同时,这些材料亦广泛应用于精密合金熔炼、高纯化合物制备以及**晶体制备等领域。